CREE | Wireless Products

碳化硅金属场效应半导体管产品

零件号	电流纠正	频率 (GHz)	输出功率 (W)	增益 (dB)	运行电压 (V)
CRF24010D	1.5	to 2.7	10	15	28-48
CRF24010	1.8	to 2.7	10	15	28-48
CRF24060D	1.1	to 2.7	60	13	28-48
CRF24060	1.3	to 2.7	60	13	28-48
	S-parameter files for SiC MESFET 产品.

氮化镓高电子迁移率晶体管为 WiMAX 应用的产品

零件号	电流纠正	频率 (GHz)	输出功率 (W)	增益 (dB)	运行电压 (V)
CGH09120F	0.2	UHF - 2.5	120	21	28
CGH21120F	1.0	1.8 - 2.3	110	15	28
CGH21240F	0.2	1.8 - 2.3	215	15	28
CGH25120F	1.0	2.3 - 2.7	130	12	28
CGH27015	2.1	2.3 – 2.9	15	15	28
CGH27030F	2.1	2.3 - 2.7	30	14.5	28
CGH27060F	2.1	2.3 - 2.7	60	13	28
CGH35015	2.2	3.3 - 3.9	15	12.0	28
CGH35030F	2.1	3.3 - 3.9	30	11.5	28
CGH35060F	2.1	3.3 - 3.9	60	11.5	28
CGH55015F1/P1	2.1	4.9 - 5.8	15	11	28
CGH55030F1/P1	2.1	4.9 - 5.8	30	10	28

氮化镓高电子迁移率晶体管通用产品

零件号	电流纠正	频率 (GHz)	输出功率 (W)	增益 (dB)	运行电压 (V)
CGH40010	2.2	to 4.0	10	14.5	28
CGH40025	2.2	to 4.0	25	13	28
CGH40035	2.4	to 4.0	35	14	28
CGH40045	2.5	to 4.0	45	14.5	28
CGH40090PP	2.3	to 4.0	90	12.5	28
CGH40120F	1.1	to 4.0	120	19	28
CGH40180PP	0.2	to 4.0	220	19	28

GaN HEMT Products for C-Band Applications

零件号	电流纠正	频率 (GHz)	输出功率 (W)	增益 (dB)	运行电压 (V)
CGH55015F2/P2	1.1	4.5-6.0	13	12	28
CGH55030F2/P2	1.2	4.5-6.0	30	11	28

氮化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路产品

零件号	电流纠正	频率 (GHz)	输出功率 (W)	增益 (dB)	运行电压 (V)
CMPA0060002F	1.2	20 MHz - 6 GHz	2	17	28
CMPA2560025F	0.7	2.5 - 6 GHz	25	22	28