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无线设备

Cree 是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶片和设备无线通信的主要供应商。其典型用途有：

• 双向私人无线电
• 宽带放大器
• 蜂窝基础设施
• 测试仪器
• 对 OFDM, W CDMA, Edge, CDMA 波形合适的A, AB 级线性放大器

由于我们用的材料是碳化硅 (SiC)，Cree 的无线设备对高功率的通讯最适合。

碳化硅的几个内在优点使得宽带放大器UHF, L 波段和 S 波段的用途。 这些性能是：

• 高导热率
• 高击穿电场
• 高饱和的电子漂移流速
• 高功率密度(功率每单位门周边)

这些性能使得碳化硅 MESFET 成为对多倍频程和十进制的频带宽度功率放大器来说是一个有吸引力的功率场效应晶体管。

如想多了解Cree的无线设备，请点击此处。

• 1/12/2010
  Cree Announces New GaN HEMT MMIC Power Amplifier
• 1/12/2010
  Cree Announces Sample Availability of Two New GaN HEMT Transistors
• 8/18/2009
  Designs Featuring Cree GaN HEMT Sweep Competition at 2009 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium
• 6/8/2009
  Cree Demonstrates 120-Watt and 180-Watt High-Efficiency GaN HEMT Amplifiers
• 6/8/2009
  Cree Demonstrates Record Efficiency GaN HEMT Doherty Amplifier with Digital Pre-distortion