• SiC 物理与电子性能
• III 氮化外延技术
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氮化外延规格

有氮化镓侧向外延结构的碳化硅基板
这非平面结构减少激光二极管制造中有缺陷的地方，并可把它劈开来以形成激光二极管小平面。

• 10/15/2007
  Cree Announces Commercial Production Release of 100-mm Zero Micropipe Silicon Carbide Substrates
• 10/15/2007
  Cree Announces Commercial Production Release of 100-mm Zero Micropipe Silicon Carbide Substrates
• 10/15/2007
  Cree Announces Commercial Production Release of 100-mm Zero Micropipe Silicon Carbide Substrates
• 10/15/2007
  Cree Announces Commercial Production Release of 100-mm Zero Micropipe Silicon Carbide Substrates
• 10/15/2007
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